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J-GLOBAL ID：200903007594332423

スピンバルブ構造とその製造法

Inventor： カレン・アッテンボロー ,  ハンス・ブーフェ ,  ヨ・デ・ブック ,  ジャン-ピエール・スリ
Applicant, Patent owner： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197463
Publication number (International publication number)：2000150237
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低磁界で強い磁気抵抗信号と高感度が可能な新規な磁気的装置を提供する。【解決手段】 本発明は、1つの観点では、第1と第2の自由な強磁性層とその間に位置されるスペーサーからなるスピンバルブ構造に関する。ここで、第1の自由な強磁性層は、基板の上に位置される。好ましい実施形態では、第1の自由な強磁性層は、基板の表面と直接に接触する。

Claim (excerpt)：

第1と第2の自由な強磁性層と、この第1と第2の自由な強磁性層の間に位置されるスペーサー層とからなり、前記の第1の自由な強磁性層は伝導性基板の上に両者の間に絶縁バリア層を介在させて位置されるスピンバルブ構造。

IPC (2)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39

FI (2)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39