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J-GLOBAL ID：200903007599858792

結晶化過程を光学的に監視する結晶質シリカ粒子の製造方法

Inventor： 藤井 淳成 ,  寺瀬 邦彦 ,  井上 真樹 ,  小野 英一 ,  佐々木 隆好
Applicant, Patent owner： 洞海化学工業株式会社
Agent (1)： 小池 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001220808
Publication number (International publication number)：2003034520
Application date： Jul. 23, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 非結晶シリカを、水熱処理して結晶質シリカへと変化させる過程において、スラリーの状態のまま、結晶化の過程を定量的に把握する。【解決手段】 非晶質シリカ粒子をアルカリ性水溶液中でスラリー状態において水熱処理して、結晶質シリカへと変化させるに際し、この結晶化の過程にある粒子を含有するスラリーに、近赤外線を照射して、その散乱光量を検出・測定し、結晶化の進行の度合いを測定し、特に透過散乱光量の出力Qがほぼ一定になった時点で水熱反応を停止することにより結晶質シリカ粒子を製造する。

Claim (excerpt)：

非晶質シリカ粒子をアルカリ性水溶液中でスラリー状態において水熱処理して、結晶質シリカへと変化させる工程からなる結晶質シリカ粒子の製造方法において、当該粒子の結晶化の過程を、スラリー状態のまま、その散乱光量により光学的に監視する手段を含むことを特徴する結晶質シリカ粒子の製造方法。

IPC (3)：

C01B 33/12 ,  C01B 33/38 ,  G01N 21/35

FI (3)：

C01B 33/12 B ,  C01B 33/38 ,  G01N 21/35 Z

F-Term (30)：

2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB04 ,  2G059BB16 ,  2G059DD16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059FF04 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK01 ,  2G059KK03 ,  2G059MM01 ,  4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH16 ,  4G072JJ21 ,  4G072LL06 ,  4G072RR12 ,  4G072RR19 ,  4G073BD01 ,  4G073BD20 ,  4G073CA06 ,  4G073CB03 ,  4G073FB11 ,  4G073FC03 ,  4G073FE10