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J-GLOBAL ID:200903007607795991
交換結合膜及びその製造方法、磁気抵抗効果素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
梅田 明彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999272981
Publication number (International publication number):2001102215
Application date: Sep. 27, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【解決手段】 Ta下地層2を設けた基板1上に、Ir<SB>x</SB>Mn<SB>1-x</SB>(xは0.2<x<0.30)で表される膜組成のIrMn合金からなる反強磁性体膜3と、その上に積層した強磁性体膜4とからなる。反強磁性体膜は、熱処理を施すことなく規則化され、Mnリッチにすることにより従来報告されていないIr<SB>2</SB>Mn<SB>7</SB>で表される3Hの六方晶構造を有し、従来より非常に大きな高い交換結合磁界を実現する。六方晶構造のa-軸及びc-軸がそれぞれ2.40Å<a<2.95Å、5.90Å<c<7.20Åの範囲にあると、交換結合磁界がより大きくなる。反強磁性体膜が、双晶面垂直方向の厚み5.90〜300Åの双晶を高密度に含み、更に双晶面と膜表面とが10〜40°の角度をなすと、構造が安定化しかつ大きい交換結合磁界が得られる。【効果】 大きい交換結合力及び構造の安定性により、磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズをより有効に低減でき、磁気変換特性が向上する。
Claim (excerpt):
基板上に形成した反強磁性体膜とその上に積層した強磁性体膜とからなり、前記反強磁性体膜が、規則化された結晶構造を有し、かつIr<SB>x</SB>Mn<SB>1-x</SB>(xは0.2<x<0.30)で表される膜組成のIrMn合金からなることを特徴とする交換結合膜。
IPC (3):
H01F 10/26
, G11B 5/39
, H01L 43/08
FI (3):
H01F 10/26
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
F-Term (13):
5D034BA05
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049DB02
, 5E049DB04
, 5E049DB12
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