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J-GLOBAL ID：200903007608501479

スイッチング回路

Inventor： 弦田 幸憲
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992119423
Publication number (International publication number)：1993316718
Application date： May. 13, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、自己消弧形素子を用いて構成され、良好な遮断特性を確保した上でスナバエネルギによる熱損失が無いスイッチング回路を提供することにある。【構成】 陰極が共通接続される第1の自己消弧形素子1と第1のダイオ-ド1Dと、陽極が共通接続され陰極が前記第1のダイオ-ド1Dの陽極に接続される第2の自己消弧形素子2と、陰極が前記第1の自己消弧形素子1の陽極に接続される第2のダイオ-ド2Dと、前記第1の自己消弧形素子1と第1のダイオ-ド1Dの陽極間に接続される第1のコンデンサ3Aと、前記第2のダイオ-ド2Dと第2の自己消弧形素子2の陰極間に接続される第2のコンデンサ3Bから成るスイッチング回路。

Claim (excerpt)：

陰極が共通接続される第1の自己消弧形素子と第1のダイオ-ドと、陽極が共通接続され陰極が前記第1のダイオ-ドの陽極に接続される第2の自己消弧形素子と、陰極が前記第1の自己消弧形素子の陽極に接続される第2のダイオ-ドと、前記第1の自己消弧形素子と第1のダイオ-ドの陽極間に接続される第1のコンデンサと、前記第2のダイオ-ドと第2の自己消弧形素子の陰極間に接続される第2のコンデンサから成るスイッチング回路。

IPC (4)：

H02M 1/06 ,  H02M 3/135 ,  H02M 3/155 ,  H02M 7/04