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J-GLOBAL ID：200903007617827310

誘電体膜及びその製造方法

Inventor： 小原 直樹 ,  沢田 太助 ,  北川 雅俊 ,  上野山 雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000209955
Publication number (International publication number)：2001135143
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誘電特性のよい,リークの小さいABO3 型ペロブスカイト構造を有する誘電体膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基体1の上にPt/Ti膜10を形成した後、パターニングして下部電極2を形成する。次に、成膜ガスとしてArガス,O2 ガス及びN2 ガスを用いたスパッタリング法により、基板上に、誘電体膜であるSrTiO3 膜11を形成する。SrTiO3 膜11をパターニングして、下部電極2の上に容量絶縁膜3を形成する。次に、容量絶縁膜3の上に上部電極4を形成する。成膜ガスとして、Ar/O2 ガスに加えて、N2 ガスを用いることにより、低温条件で、比誘電率の高い,リークの少ないSrTiO3 膜を形成することができ、このSrTiO3 膜を用いることにより、高容量で誘電特性のよい薄膜コンデンサを得ることができる。

Claim (excerpt)：

II族元素Aと、IV族元素Bと、酸素元素Oとを含み、化学量論的組成がABO3 であるペロブスカイト構造を有するとともに、上記ペロブスカイト構造中に窒素を含んでいることを特徴とする誘電体膜。

IPC (15)：

H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 302 ,  H01B 3/12 303 ,  C23C 14/08 ,  H01B 17/56 ,  H01B 19/00 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (13)：

H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 302 ,  H01B 3/12 303 ,  C23C 14/08 K ,  H01B 17/56 A ,  H01B 19/00 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-186614
  
• 誘電体薄膜素子の製造方法及び誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-180378   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭61-269804