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J-GLOBAL ID：200903007628601747

単結晶成長方法及び単結晶製造装置

Inventor： 大橋 勇司 ,  山本 裕正
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020867
Publication number (International publication number)：1996198699
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Aug. 06, 1996
Summary：

【要約】【構成】保温筒の高さを結晶直胴部育成開始時は固液境界とるつぼ上端とで規定される円錐面よりも高くし、結晶直胴部育成終了時は固液境界とるつぼ上端とで規定される円錐面よりも低くなるように単結晶を育成する。【効果】結晶内温度勾配は適度な大きさに、固液界面形状は理想的な下凸状に保たれ、転位密度が1×105/cm2未満でかつ長尺の単結晶が得られる。

Claim (excerpt)：

原料と封止剤を入れたるつぼを高圧容器内に設置し、該高圧容器内において保温筒によって外部を囲まれたヒーターにより加熱して前記原料及び前記封止剤を溶解し、この原料融液表面に種結晶を接触させ回転させながらこれを徐々に引き上げることにより単結晶を育成する方法において、前記保温筒の内壁の上端を、結晶直胴部育成の開始時においては、るつぼ内原料融液と引上げ結晶との固液境界と、るつぼ上端とで規定される円錐面よりも高く、結晶直胴部育成終了時においては、るつぼ内原料融液と引上げ結晶との固液境界と、るつぼ上端とで規定される円錐面よりも低くなるようにすることを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (4)：

C30B 27/02 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208