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J-GLOBAL ID：200903007633705208

半導体集積回路のキヤパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリ

Inventor： 干場 一博
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991270019
Publication number (International publication number)：1993082801
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 キャパシタの占有面積を小さくすることができ、しかも十分な量の信号電荷を蓄積することができる半導体集積回路のキャパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリを提供する。【構成】 電界効果トランジスタ10のソース領域13aの上に、第1の電極31、第1の強誘電体薄膜32、第2の電極33、第2の強誘電体薄膜34および第3の電極35をその順に積層し、第3の電極35と第1の電極31とを金属配線36で接続する。第2の電極33は接地ラインあるいはドライブラインに接続する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の電極と、第1の強誘電体薄膜と、第2の電極と、第2の強誘電体薄膜と、第3の電極とをその順に積層し、前記第2の電極を積層キャパシタの一方の端子とし、前記第1の電極と第3の電極とを接続する導電配線を他方の端子としたことを特徴とする半導体集積回路のキャパシタ。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-142973
  
• 特開昭59-158512
  
• 特開平3-153074