Pat

J-GLOBAL ID：200903007639089274

薄膜の測定方法と薄膜の測定装置

Inventor： 工藤 喜弘 ,  劉 光佑 ,  川戸 清爾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256783
Publication number (International publication number)：2000088776
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 結晶基板上に形成された薄膜の密度を高精度で測定することが可能な薄膜の測定装置を提供する。【解決手段】 X線発生装置10は、試料14にX線を照射する。検出器15,16は、結晶基板上に薄膜が形成された前記試料と前記薄膜を除去した後の前記試料の回折X線14Dおよび鏡面反射X線14Rを検出する。X線強度測定装置17は、入射X線12Bの視斜角θを変化させて検出信号S15に基づいて薄膜の除去前後の回折X線14Dの強度特性を測定する。演算装置19は、薄膜の除去前後の強度特性の比である規格化強度特性を算出する。演算装置19は、薄膜の厚さdと密度ρをパラメータに有する回折X線の強度の理論値であって前記薄膜が有る場合の前記理論値と無い場合の前記理論値との比である規格化理論値を、前記規格化強度特性に一致させるような前記パラメータの値を算出する。

Claim (excerpt)：

結晶基板上に薄膜が形成された試料にX線を照射して回折X線の強度特性を測定し、前記薄膜を除去した後の前記試料に前記X線を照射して回折X線の強度特性を測定し、前記試料に前記薄膜が形成された場合の前記強度特性と前記薄膜を除去した場合の前記強度特性との比である規格化強度特性を算出し、前記試料の薄膜の厚さおよび密度をパラメータとして有する回折X線の強度の理論値であって前記薄膜が有る場合の前記理論値と無い場合の前記理論値との比である規格化理論値を、前記規格化強度特性に一致させるような前記パラメータの値を算出する薄膜の測定方法。

IPC (2)：

G01N 23/207 ,  G01B 15/00

FI (2)：

G01N 23/207 ,  G01B 15/00 A

F-Term (28)：

2F067AA00 ,  2F067AA27 ,  2F067BB17 ,  2F067CC17 ,  2F067HH04 ,  2F067JJ03 ,  2F067KK09 ,  2F067LL00 ,  2F067RR24 ,  2F067RR33 ,  2G001AA01 ,  2G001BA15 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA02 ,  2G001DA03 ,  2G001DA06 ,  2G001EA09 ,  2G001FA02 ,  2G001FA06 ,  2G001FA08 ,  2G001GA13 ,  2G001KA01 ,  2G001KA11 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA04 ,  2G001SA01