半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032232
Publication number (International publication number)：2000236021
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】ドライ洗浄工程を前工程として含む半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法を提供する。【解決手段】下部物質膜上に絶縁膜200を形成する段階と、絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして、下部物質膜を露出させるコンタクトホール250を形成する段階と、露出する下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、コンタクトホールを形成する段階でできた損傷膜110を除去するドライ洗浄段階と、ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別途のチャンバで行うことによりドライ洗浄されたコンタクトホール内の露出する下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

下部物質膜上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして、前記下部物質膜を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、露出した前記下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、前記コンタクトホールを形成する段階でできた損傷膜を除去するドライ洗浄段階と、前記ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別途のチャンバで行うことにより前記ドライ洗浄された前記コンタクトホール内の露出した前記下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、前記コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645

FI (4)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 301 R , H01L 21/304 645 C , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055297 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-299956 Applicant：ソニー株式会社
サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-526963 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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