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J-GLOBAL ID：200903007650489268

半導体スイッチング装置、半導体スイッチング素子及びその制御方法

Inventor： 倉地 和博 ,  山元 正則
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006145
Publication number (International publication number)：1997201039
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スナバ回路に起因するスパイク損失等の各損失が半導体スイッチング素子内部のカソード面の一部に局部的に集中して同素子が破壊されるのを防止し、スナバコンデンサに充電された電荷を放電させる際に生じる大きな電力損失の防止又はその軽減を図り、以て装置全体の低電力損失化・小型化を実現する。【解決手段】 GTO3のゲート電極3Gからゲートドライバ4及びノード9を介してカソード電極3Kに至る迄の経路R1のインダクタンスを、ターンオフゲインが1以下となるように設定する。ターンオフ時には、主電流IAの全ては、ターンオン制御電流IGとは逆向きにゲート電極3Gからゲートドライバ4を介してノード9側へ転流する。又、ピーク電圧抑制回路5は、上昇するアノード・カソード電極間電圧VA-Kを所定の電圧値に所定の時間だけクランプする。

Claim (excerpt)：

第1、第2及び第3電極を有し、前記第3電極に印加されたターンオン制御電流に応じてオン状態となったときは前記第1電極に流れ込む主電流を前記第1電極から前記第2電極へと直接に流す半導体スイッチング素子と、前記第3電極と前記第2電極との間に接続され、前記ターンオン制御電流を生成して前記第3電極に印加する駆動制御手段とを備え、ターンオフ時には、前記主電流の全てを前記ターンオン制御電流とは逆方向に前記第1電極から前記第3電極を介して前記駆動制御手段へと転流させた、半導体スイッチング装置。

IPC (2)：

H02M 1/06 ,  H01L 29/744

FI (2)：

H02M 1/06 Z ,  H01L 29/74 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-107724
  
• 特開平2-136062
  
• 沸騰冷却型電力変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-117305   Applicant：三菱重工業株式会社