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J-GLOBAL ID：200903007652129609

アモルファスカーボンを用いた半導体装置製造方法

Inventor： 河村 栄一 ,  八尾 輝芳 ,  直理 修久 ,  橋本 浩一 ,  小林 正治 ,  大島 正志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049548
Publication number (International publication number)：1995263309
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反射率の高い基板上に寸法のばらつきが少なく高精度に微細パターンを形成することができる露光技術を提供する。【構成】 光を反射する表面上に複素屈折率の虚数部の絶対値が0.2以下である透明膜を形成する工程と、前記透明膜の表面上に複素屈折率の虚数部の絶対値が0.3以上の反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の表面上にフォトレジスト膜を塗布し、所定の領域を露光して該フォトレジスト膜をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記フォトレジスト膜に入射する入射光と、前記反射防止膜、前記透明膜及び前記光を反射する表面から反射した反射光とが重なり合って前記フォトレジスト膜内に発生する光強度分布の平均値をIave 、光強度分布の振幅をIδとしたとき、定在波の大きさIsw=Iδ/Iave が0.2以下になるように前記反射防止膜及び前記透明膜の膜厚を設定する。

Claim (excerpt)：

光を反射する表面上に複素屈折率の虚数部の絶対値が0.2以下である透明膜を形成する工程と、前記透明膜の表面上に複素屈折率の虚数部の絶対値が0.3以上の反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の表面上にフォトレジスト膜を塗布し、所定の領域を露光して該フォトレジスト膜をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記フォトレジスト膜に入射する入射光と、前記反射防止膜、前記透明膜及び前記光を反射する表面から反射した反射光とが重なり合って前記フォトレジスト膜内に発生する光強度分布の平均値をIave 、光強度分布の振幅をIδとしたとき、定在波の大きさIsw=Iδ/Iave が0.2以下になるように前記反射防止膜及び前記透明膜の膜厚を設定する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-296074   Applicant：株式会社東芝
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-075948   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-290920
  
• 特開平2-244154
  
• フォトマスクおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-010337   Applicant：三菱電機株式会社