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J-GLOBAL ID：200903007660911839

半導体発光素子

Inventor：
堀 裕二

About 堀 裕二

, 
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
田中 光浩

About 田中 光浩

, 
小田 修

About 小田 修


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001343055
Publication number (International publication number)：2002261324
Application date： Nov. 08, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】任意の色度の光を生成することのできるLED、特に三原色以上の白色LEDとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子10を構成する下地層2を、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の高結晶Al含有窒化物半導体から構成する。発光層5は、Al、Ga、及びInの少なくとも一種を含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含有した窒化物半導体から構成する。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に形成された、少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下である第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる第1の導電層と、この第1の導電層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第3の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含む第4の窒化物半導体からなる発光層と、この発光層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第5の窒化物半導体からなる第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第6の窒化物半導体からなる第2の導電層と、を具えることを特徴とする、半導体発光素子。
F-Term (8)：
5F041AA11 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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