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J-GLOBAL ID：200903007663761633

プラズマエッチング方法

Inventor： 山崎 一雄 ,  津国 和之 ,  野尻 一男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065783
Publication number (International publication number)：1994283476
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 酸化シリコン膜上に堆積した多結晶シリコン膜を高選択比でエッチングする。【構成】 酸化シリコン膜上に堆積した多結晶シリコン膜をハロゲン系のガスでエッチングする際、ハロゲン系のガスにキセノン、クリプトン、アルゴンなどの希ガスを添加する。エッチングガス中、ハロゲン系のガスの濃度は15〜50%とし、0.013〜1.3Paのプラズマ雰囲気中でエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化タンタル膜上に堆積した多結晶シリコン膜、シリサイド膜またはそれらの積層膜をハロゲン系のガスでエッチングするに際し、前記ハロゲン系のガスに希ガスを添加することを特徴とするプラズマエッチング方法。