半導体装置の電極構造およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997316748
Publication number (International publication number)：1999150141
Application date： Nov. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】金属間化合物のない良好なバンプを形成することができる半導体装置の電極構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の電極上に形成される突起電極の電極構造であって、電極4上に形成されたNiからなるNi層1と、このNi層1上に形成されSnを全く含まないかもしくはSn含有量が少ないはんだ層2と、このはんだ層2上に形成されたはんだ層3とを備えている。また製造方法は、無電解めっき法により半導体装置の電極上にNi層1を析出し、Ni層1に無電解めっき法により選択的にフラッシュAu膜を形成し、はんだ層2を半導体装置を浸漬させて形成し、同様にはんだ層3を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の電極上に形成される突起電極の電極構造であって、前記電極上に形成されたNiからなる第1の金属層と、この第1の金属層上に形成されSnを全く含まないかもしくはSn含有量が少ない第2の金属層と、この第2の金属層上に形成されたはんだからなる第3の金属層とを備えた半導体装置の電極構造。

FI (3)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭52-013771
特開平2-276249
半導体素子の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-015188 Applicant：松下電器産業株式会社

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