半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996210878
Publication number (International publication number)：1998056230
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】高出力レーザ光を得るために、複数個の半導体レーザをスタック構成とすると、各半導体レーザの光出射の間隔が大きくなり、拡がり角度が小さいレーザビームを得ることが困難になる。【解決手段】基板の一方の面に半導体層を接合し、この半導体層の領域内に光出射領域を形成した2個の半導体レーザ100,200を、各半導体レーザの光出射面109,209が略同一面となるように両半導体レーザを各基板の一方の面側を互いに対向させて一体化する。例えば、2個の半導体レーザはそれぞれ異なる極性の基板に形成され、各基板の一方の面側に設けた電極107,207を互いに接触させた状態で一体化し、基板の他方に設けた電極108,208間に電流を注入して発光させる。各半導体レーザの光出射領域が近接されるため、光出射領域が狭くなり、拡がり角度の小さいレーザビームが得られる。

Claim (excerpt)：

基板の一方の面に半導体層を接合し、この半導体層に光出射領域を形成した半導体レーザを2個有し、これら半導体レーザの光出射面が略同一面となるように両半導体レーザを前記基板の一方の面側を互いに対向させて一体化したことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-213651 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭54-107689
特開昭61-269390

Show all

Return to Previous Page