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J-GLOBAL ID：200903007684803280

加熱装置、半導体製造装置、加熱方法及び半導体製造方法

Inventor： 高木 幹夫
Applicant, Patent owner： 株式会社エフティーエル
Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264183
Publication number (International publication number)：1994089867
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度差のある加熱領域を具備する加熱装置の高温側加熱領域と低温側加熱領域の間にある中間領域の長さを短くする。【構成】 高温側加熱領域1に配置された第1ヒーターと低温側加熱領域2に配置された第2ヒーターの間に双方のヒーターからの熱を吸収する熱遮断体6を設ける。

Claim (excerpt)：

温度差のある加熱領域を具備する加熱装置において、高温側加熱領域に配置されたヒーターと低温側加熱領域に配置された第2ヒーターの間に双方のヒーターからの熱を吸収する熱遮断体を設けたことを特徴とする加熱装置。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/324