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J-GLOBAL ID：200903007690045842
電界効果型トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266815
Publication number (International publication number)：1994097446
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 通常の構造タイプであるにも拘らず、ドレイン領域付近の電界強度を緩和して特性劣化を防ぐことのできる電界効果型トランジスタを提供する。【構成】 ゲート電極17はソース領域13側の幅w1が狭くドレイン領域14側の幅w2が広くなるT字型に形成されている。ゲート電極17に正のゲート電圧が印加されると、チャネル領域15に電子が誘起される。この場合、ドレイン領域14側のゲート電極17の幅w2が広くなっているので、ドレイン領域14付近のチャネル領域15の電気力線がまばらとなり、ドレイン領域14付近の電界強度が弱くなる。
Claim (excerpt)：
ゲート電極の幅を、ソース領域側が狭く、ドレイン領域側が広くなるように形成したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 S
