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J-GLOBAL ID：200903007692650140

インバータ装置

Inventor： 斎藤 秀治 ,  坪井 孝 ,  堀江 哲 ,  安藤 武 ,  豊田 瑛一 ,  松井 孝行 ,  ▲高▼久 敏彦 ,  中村 清 ,  仲田 清 ,  筒井 義雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992315231
Publication number (International publication number)：1994165524
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電磁騒音を低減できる高周波駆動可能な半導体スイッチ素子を用い、スナバコンデンサや冷却器などを小形化してインバータ装置全体を小形化すること、および保守の容易性を確保する。【構成】 スナバコンデンサCS1,CS2とスナバダイオードDS1〜DS4を半導体スイッチモジュールSM1〜SM4に対向する位置に階層状に配置し、それらの間の配線インダクタンスを小さくして、スナバコンデンサCS1,CS2の容量を小さくし、装置全体の小形化を図る。電気車のインバータ動作の特性に鑑み、半導体スイッチモジュールSMの正側アーム素子SM1,SM2と負側アーム素子SM3,SM4の組みを少なくとも同一の受熱板31,32に取付け、受熱板の熱負荷を平均化して、冷却器53,54を小形化する。1相分のインバータ主回路ごとにパワーモジュール化し、保守時には必要なパワーモジュールを筐体から取外して保守可能にし、保守性の容易性を確保する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体スイッチ素子により形成されたインバータ主回路と、前記各半導体スイッチ素子に接続されたスナバ回路とを含んでなり、前記各半導体スイッチ素子にGTOサイリスタよりも高周波駆動可能な素子を用いてなるインバータ装置において、前記各スナバ回路を形成するスナバコンデンサを接続対象の半導体スイッチ素子が取り付けられた支持面に対して前記半導体スイッチ素子を挟む位置に配置したことを特徴とするインバータ装置。

IPC (4)：

H02M 7/48 ,  H01L 23/427 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/46 B ,  H01L 25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-154457