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J-GLOBAL ID：200903007717060253

インダクタンス素子およびトランス

Inventor： 川村 雅明 ,  山川 光明
Applicant, Patent owner： 東芝ライテツク株式会社
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252052
Publication number (International publication number)：1993090028
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】インダクタンスまたは結合係数を高めると共に、軽薄短小化を進めて高密度実装を図る。【構成】混成集積回路基板31上に、導体により渦巻状のインダクタパターン32を形成する。このインダクタパターン32の渦巻中心部において、混成集積回路基板31に挿入孔を穿設し、この挿入孔内にフェライトコア37を挿入する。

Claim (excerpt)：

混成集積回路基板上に、導体により渦巻状のインダクタパターンを形成し、このインダクタパターンの渦巻中心部にて前記基板に挿入孔を穿設し、この挿入孔内に磁性体を挿入したことを特徴とするインダクタンス素子。

IPC (4)：

H01F 17/00 ,  H01F 15/02 ,  H01F 27/26 ,  H01F 27/28