半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松田正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997284067
Publication number (International publication number)：1999121647
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体素子のAl電極上に直接メタライジングするには、Al電極の酸化膜を除去し、さらにバリアメタルと称する金属層を形成する必要があるため、工程数が多くなり、コストも非常に高くなる。【解決手段】ウエハ上への積層法によるパッケージングにおいて、半導体素子4の素子電極5上に、バリアメタルを形成する替わりに直接無電解Niメッキを行うことにより、Ni突起8を形成する。

Claim (excerpt)：

表面に素子電極およびパシベーション膜を有する半導体素子と、前記パシベーション膜上に形成され、前記素子電極の位置に開口部を有する第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層上に形成された金属配線と、前記素子電極上に直接形成され、前記素子電極と前記金属配線とを接続する金属層と、前記金属配線上と前記第一の樹脂層上に形成され、前記金属配線上の一部分に開口部を有する第二の樹脂層と、前記第二の樹脂層の開口部に配置され、前記金属配線と接続する金属電極とを備え、前記金属層は、無電解メッキによって形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 23/12 Q , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-226250 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体集積回路の電極構造およびそのパッケージ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-004436 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-237653 Applicant：日本電気株式会社

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