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J-GLOBAL ID：200903007739114942
光入出射方向変換用半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994152389
Publication number (International publication number)：1996018166
Application date： Jul. 04, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 基板に対して垂直方向に入射された光を平行方向に出射する、あるいは基板に対して平行方向に入射された光を垂直方向に出射する光入出射方向変換用半導体レーザに関し、微小構造化と低消費電力化を可能する。【構成】 活性層の両面に高反射率の反射鏡を配し、基板に対して垂直方向に光を入出射する垂直共振器レーザと、垂直共振器レーザを含む円柱構造を有し、その側壁に沿ってレーザ光が全反射を繰り返すことによりレーザ発振する、いわゆるホイスパリング・ギャラリー・モードで発振し、基板に対して水平方向に光を入出射するマイクロシリンダーレーザとを備える。
Claim (excerpt)：
活性層の両面に高反射率の反射鏡を配し、基板に対して垂直方向に光を入出射する垂直共振器レーザと、前記垂直共振器レーザを含む円柱構造を有し、その側壁に沿ってレーザ光が全反射を繰り返すことによりレーザ発振する、いわゆるホイスパリング・ギャラリー・モードで発振し、基板に対して水平方向に光を入出射するマイクロシリンダーレーザとを備えたことを特徴とする光入出射方向変換用半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G02B 6/122
, H01S 3/101
