Pat

J-GLOBAL ID：200903007743151208

半導体ナノ粒子およびその製造方法

Inventor： 平野 覚浩 ,  中村 史夫 ,  鳥本 司 ,  市川 祐司
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008061724
Publication number (International publication number)：2009215465
Application date： Mar. 11, 2008
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：

【課題】本発明は、水分散性を示すカドミウムフリーの半導体ナノ粒子を提供することを目的の一つとする。また、そのような半導体ナノ粒子を比較的容易に製造する製造方法を提供することを目的の一つとする。【解決手段】亜鉛、周期表第11族元素および周期表第13族元素を含む硫化物もしくは酸化物を成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族を含む硫化物もしくは酸化物を成分とする半導体ナノ粒子であり、その表面が一般式(1)R1-X-Y-R2(式中、R1は含窒素または含硫黄官能基、R2はイオン性官能基、Xは炭化水素基、Yは連結基である)により表される少なくとも一つ以上の化合物で修飾されていることを特徴とする半導体ナノ粒子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

亜鉛、周期表第11族元素および周期表第13族元素を含む硫化物もしくは酸化物を成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族を含む硫化物もしくは酸化物を成分とする半導体ナノ粒子であり、その表面が 一般式(1) R1-X-Y-R2 (式中、R1は含窒素または含硫黄官能基、R2はイオン性官能基、Xは炭化水素基、Yは連結基である) により表される少なくとも一つ以上の化合物で修飾されていることを特徴とする半導体ナノ粒子。

IPC (6)：

C09K 11/62 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01G 15/00 ,  C09K 11/08 ,  C01G 9/00

FI (7)：

C09K11/62 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01G15/00 B ,  C09K11/08 G ,  C09K11/08 A ,  C01G9/00 B

F-Term (19)：

2G045DA13 ,  2G045FB07 ,  4G047AA04 ,  4G047AA05 ,  4G047AB02 ,  4G047AB04 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CC13 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49 ,  4H001XB22 ,  4H001XB31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 国際公開第2007/026746号パンフレット