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J-GLOBAL ID：200903007746811020

薄膜ガスセンサ

Inventor： 河田 泰之 ,  小野寺 克己 ,  鈴木 卓弥 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998221612
Publication number (International publication number)：2000055852
Application date： Aug. 05, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来のものと同等以上の感度が得られ、かつ、ガス選択性の良好な薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 Si基板1に熱酸化膜2を形成し、その上にPt薄膜電極層3およびコンタクト層4を形成し、この電極層3の上にPtおよびSbをドープした酸化スズ薄膜からなるガス検知層薄膜層5と、ガス感度向上のためのガス選択層6とを積層して構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜形成技術により形成され、可燃性ガスの有無を酸化物半導体の抵抗値の変化を利用して検出する薄膜ガスセンサにおいて、薄膜ガス検知部が少なくとも酸化物半導体層,選択燃焼層からなる積層構造とすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

F-Term (18)：

2G046AA02 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BC07 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046FB02 ,  2G046FE02 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39