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J-GLOBAL ID：200903007756238388

薄膜形成装置

Inventor： 星野 茂樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172218
Publication number (International publication number)：1993304104
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板上の反応生成物の活性化を高めることにより比較的低温で良質な薄膜を形成する。【構成】 基板を収納・支持する真空槽と、前記基板の直上に紫外光を集光する紫外光レーザと、前記基板上にラジカルを照射するラジカルビーム発生器とを設ける。

Claim (excerpt)：

基板を収納・支持する真空槽と、該基板の周辺部にガスを導入するガス導入管と、前記基板の直上に紫外光を集光する紫外光レーザと、前記基板上に1種もしくは2種以上のラジカルを照射する少なくとも1個のラジカルビーム発生器とを設けることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48