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J-GLOBAL ID:200903007767799071
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡辺 喜平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999025322
Publication number (International publication number):2000223276
Application date: Feb. 02, 1999
Publication date: Aug. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 取り出せる光量が多い一方、駆動電圧が低くても、発光輝度が高く、しかも、耐久性に優れた有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも陽極層、正孔注入層、有機発光層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とする。
Claim (excerpt):
少なくとも陽極層、正孔注入層、有機発光層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、前記n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4):
H05B 33/22
, C23C 14/22
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (5):
H05B 33/22 C
, H05B 33/22 A
, C23C 14/22 C
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
F-Term (26):
3K007AB00
, 3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB13
, 3K007BB01
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007EB05
, 3K007EC00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4K029AA09
, 4K029BA03
, 4K029BA43
, 4K029BA50
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029DB06
, 4K029DC05
, 4K029DC35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-253593
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有機エレクトロルミネツセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-151486
Applicant:出光興産株式会社
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有機EL素子の製造方法及びその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-146189
Applicant:松下電器産業株式会社
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