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J-GLOBAL ID：200903007790051025

半導体発光素子

Inventor： 小池 正好 ,  山崎 史郎 ,  永井 誠二
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149531
Publication number (International publication number)：1996321662
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】活性層の端面を研磨により鏡面状態に形成すること。【構成】ダブルヘテロ構造の半導体レーザダイオード短冊片101は、サファイア基板1上に、バッファ層2、GaN 層3、クラッド層4、活性層5、クラッド層61、コンタクト層62、SiO2層7及び電極層8a、8bが順次積層形成されて構成される。ここで、活性層5の上面5aはコンタクト層62の上面62aから5μmの深さに設けられている。短冊片101に対して図中の矢印A1、A2方向にダイシングし、そのダイシング面に対し、ダイヤモンド研磨材を用いてラッピング及びポリッシングを行い、チップ102(図示せず)の端面を表面粗さが数百Åの鏡面状態に仕上げることにより、チップ102が形成される。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlX GaY In1-X-Y N;X=0,Y=0,X=Y=を含む)から成り、活性層が上下両側からクラッド層で挟まれた3層構造を有する半導体発光素子において、前記活性層の端面が研磨されることにより鏡面状態に形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C