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J-GLOBAL ID：200903007794015767

半導体装置

Inventor： 高下 正勝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996149306
Publication number (International publication number)：1997331150
Application date： Jun. 11, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着する半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、高信頼性の高い電力用半導体装置を実現する。【解決手段】半導体素子11と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁基板12と、半導体素子と絶縁基板とを固着する第1の半田層18と、金属放熱板13と、金属放熱板上に絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるように形成された第2の半田層14とを具備する。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁基板と、前記半導体素子と絶縁基板とを固着する第1の半田層と、金属放熱板と、前記金属放熱板上に前記絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるように形成された第2の半田層とを具備することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 放熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-141901   Applicant：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社