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J-GLOBAL ID：200903007794831181
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342979
Publication number (International publication number)：1994196817
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高信頼性の半導体レーザ装置を提供するとともに、生産性の向上を図ることを目的とする。【構成】 リードフレームピン3において、レーザダイオード1をマウントする面をレーザダイオード1裏面より出射されるレーザを受光するためのフォトダイオード2の受光面より高くするとともに、フォトダイオード2の受光面とレーザダイオードチップ1の裏面出射端面とを互いに垂直な位置関係になるようにする。
Claim (excerpt)：
レーザダイオードチップを樹脂でモールドしてなる半導体レーザ装置において、前記レーザダイオードチップが載置されるマウント面を、該レーザダイオードチップ裏面より出射されるレーザを受光するためのモニタ用フォトダイオードの受光面より高く設け、かつ該受光面とレーザダイオードチップの裏面出射端面より出射されるレーザ光の光射方向とが互いに垂直の位置関係になるように前記レーザダイオードチップとモニタ用フォトダイオードとを基台に載置することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 31/12
, H01L 31/10
Cited by examiner (9)
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