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J-GLOBAL ID：200903007795909699

半導体装置とその製造方法

Inventor： 井上 彰 ,  高木 剛 ,  浅井 明 ,  神澤 好彦 ,  空田 晴之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002213400
Publication number (International publication number)：2004055943
Application date： Jul. 23, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】絶縁膜上に緩和SiGe層を持つSGOI(Silicon Gerumanium On Insulator)基板の製作方法として、SIMOX法や酸化濃縮法が提案されているが、どちらの手法も欠陥密度が高く、また高コストという問題があった。【解決手段】上記課題を解決するため、Si基板上に堆積された絶縁膜の一部をSi表面が露出するように開口を設ける。次にSi露出部分を種結晶として、Si1-xGex単結晶(0<x<1)をエピタキシャル成長することで、絶縁膜を覆うように格子緩和したSi1-xGex単結晶を結晶成長させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Si基板と上記Si基板上に堆積された絶縁膜からなり、かつ上記絶縁膜はSi基板表面が一部露出するように部分的に開口された基板において、開口部分に露出したSi基板表面を種結晶としてSi1-xGex単結晶(0<x<1)を結晶成長することによって、絶縁膜を覆うように格子緩和したSi1-xGex単結晶を結晶成長させる方法。

IPC (7)：

H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

FI (7)：

H01L27/12 E ,  H01L27/12 Z ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L21/76 D

F-Term (42)：

5F032AA03 ,  5F032AA09 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032AA82 ,  5F032BA01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA12 ,  5F032DA14 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F045AA07 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BF06 ,  5F048BG05 ,  5F048BG14 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05