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J-GLOBAL ID:200903007796390727

有機EL装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002046893
Publication number (International publication number):2002334782
Application date: Mar. 17, 1999
Publication date: Nov. 22, 2002
Summary:
【要約】【解決課題】 特性の異なる薄膜を同一基板上にパターニング成膜する場合、薄膜材料液体がバンクを超えて流れ出るという事態を防止し、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を確実に高精度に比較的簡単に歩留まり良く形成でき、高精細な微細パターニングを可能とすること。【構成】 無機材料からなる第1電極が選択的に形成された基板上に、前記第1電極を区切るように少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、前記バンクによって区切られた領域に有機半導体膜を形成するための材料液を充填する工程を含む有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料が前記無機材料と比べて前記材料液に対する非親和性の程度がより高くなるように、前記第1電極及び前記バンクに対してプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理後、前記バンクによって区切られた領域に前記材料液を充填し、前記有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜上方に第2電極を形成する工程と、を含む。
Claim (excerpt):
無機材料からなる第1電極が選択的に形成された基板上に、前記第1電極を区切るように少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、前記バンクによって囲まれた領域に有機半導体膜を形成するための材料液を充填する工程を含む有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料が前記無機材料と比べて前記材料液に対する非親和性の程度が高くなるように、前記第1電極及び前記バンクに対してプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理後、前記バンクによって囲まれた領域に前記材料液を充填し、前記有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜上方に第2電極を形成する工程と、を含む有機EL装置の製造方法。
IPC (6):
H05B 33/10 ,  G02B 5/20 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6):
H05B 33/10 ,  G02B 5/20 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
F-Term (8):
2H048BA64 ,  2H048BB02 ,  2H048BB47 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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