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J-GLOBAL ID：200903007800014034

半導体レーザ

Inventor： 後藤 勝彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993025908
Publication number (International publication number)：1994244492
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 活性層へのp型不純物の拡散によるレーザ特性の劣化が抑制された半導体レーザを得る。【構成】 SCH構造の半導体レーザにおいて、活性層4の両側に設けられた光閉込層3,5を、いずれもn型にドーピングされたものとした。【効果】 活性層4とp型クラッド層2間に配置されたn型光閉込層5により、p型クラッド層中の不純物の活性層への拡散が抑制され、しきい値電流の上昇,効率の低下等のレーザ特性の劣化を防止できる。

Claim (excerpt)：

活性層を挟んで該活性層の上下に配置されたクラッド層と該活性層との間に、それぞれ上記活性層と上記クラッド層の中間の禁制帯幅を有する光閉込層を備えたSCH(Separated Confinement Heterostructure)構造の半導体レーザにおいて、上記活性層の両側に設けられた光閉込層はいずれもn型にドーピングされたものであることを特徴とする半導体レーザ。