磁気抵抗効果素子薄膜

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200748
Publication number (International publication number)：1994177453
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Fe/Cr人工格子磁気抵抗効果素子薄膜において、磁気抵抗のヒステリシスをなくし、かつ磁気抵抗の磁場依存性を直線的にする。【構成】サファイヤ単結晶基板1上にV Nb、Mo、Ta、Wより選ばれた1つの金属あるいはこれら金属の少なくとも2種の金属よりなる体心立方晶の合金、またはFeあるいはCrとこれら金属よりなる体心立方晶の合金よりなる単層バッファー層2を形成し、その上にFeとCrを交互にエピタキシャル成長させてFe/Cr人工格子を形成する。この人工格子は膜の成長方向のみならず面内の結晶方位もはっきり宣義された単結晶膜となるのでヒステリシスがなくなり、磁場依存性も直線的になる。バッファー層を2層構造とし上述のバッファー層2の上にCrの層5を形成すると低磁場域でのヒステリシスもなくすことができる。

Claim (excerpt)：

サファイヤ単結晶基板上に、体心立方晶金属M(M=バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W))、またはこの体心立方晶金属Mより選ばれた2種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄(Fe)あるいはクロム(Cr)と前記体心立方晶金属Mとからなる体心立方晶の合金のエピタキシャルバッファー層上に、鉄(Fe)とクロム(Cr)が交互にエピタキシャル成長した人工格子膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-150881
特開平3-106085
特開昭63-002391

Show all

Return to Previous Page