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J-GLOBAL ID：200903007805466650

電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 安達 一彦 ,  塩田 郁夫
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302853
Publication number (International publication number)：1994132309
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 より一層の高速化に適し、かつ良好な特性精度等をもたせることが可能である。【構成】 この接合型の電界効果トランジスタは、ソース41,ドレイン42,チャネル領域43が第1の導電型の第1の半導体で形成され、第1の半導体の導電型とは反対の第2の導電型をもつ第2の半導体48がチャネル領域43と接してゲ-ト部が構成されている。上記第1の半導体には、高速化を図るために、GaAsなどの化合物半導体が用いられ、化合物半導体に第1の導電型不純物(例えばn型不純物)がド-ピングされて形成されており、また、第2の半導体48は、ワイドバンドギャップの半導体として知られている水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)などに第2の導電型不純物(例えばp+型不純物)がド-ピングされて形成されている。

Claim (excerpt)：

ソース,ドレイン,チャネル領域が第1の導電型の第1の半導体で形成され、第1の半導体の導電型とは反対の第2の導電型をもつ第2の半導体が前記チャネル領域と接してゲ-ト部が構成されている接合型の電界効果トランジスタであって、前記第2の半導体は非晶質あるいは微結晶の半導体で形成されており、該第2の半導体のエネルギ-バンドギャップが第1の半導体のエネルギーバンドギャップよりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 27/095

FI (2)：

H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 E