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J-GLOBAL ID：200903007817744273

半導体デバイスの作製方法

Inventor： マイケル・ルードワイズ ,  ニック・ホロニャック・ジュニア ,  ステファン・ヨゼフ・カラッチ ,  マイケル・レーガン・クラムス ,  フレッド・エイ・キッシュ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 萩野 平 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995014477
Publication number (International publication number)：1995263747
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 複雑な再成長や精密な処理を伴わずに所望の屈折率段差が得られ、平面構造をなす半導体発光デバイスを製造する。【構成】 基板上にIn及びPを含む族から選択される元素を含む酸化防止III-V族半導体材料からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上にAl含有III -V族半導体材料からなる第2の層を形成する工程と、接触層から前記第1の層への電気的接続を形成する工程とから構成されるとともに、更に酸化条件下にある前記第2の層の少なくとも1つの選択領域を酸化し、かつ酸化物が前記第1と第2の層の界面まで延びるように形成する副工程と、前記第2の層の非酸化領域を残して前記接触層からの電気的接続を行なう副工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板を設ける工程と、周期表においてインジウム及びリンを含む族から選択される元素を含む酸化防止III -V族半導体材料からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上にアルミニウムを含有するIII -V族半導体材料からなる第2の層を形成して前記第1と第2の層の界面を形成する工程と、接触層から前記第1の層への電気的接続を形成する工程とから構成されるとともに、これらの工程に、酸化条件下にある前記第2の層の少なくとも1つの選択領域を酸化し、かつそれによる酸化物が前記第1と第2の層の前記界面まで延びるように形成する副工程と、更に、前記第2の層の非酸化領域を残し、かつ前記接触層からの電気的接続を前記非酸化領域を介して行う副工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスの製作方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-021882   Applicant：古河電気工業株式会社