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J-GLOBAL ID：200903007821957907
半導体集積回路装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991162702
Publication number (International publication number)：1993013659
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 マルチチップ・モジュールの実装密度を向上させる。【構成】 金属化合物ガスの雰囲気中、基板1に搭載した複数の半導体チップ3の主面上にレーザビームを照射して金属層を析出させ、この金属層からなる配線7で半導体チップ3間を電気的に接続するマルチチップ・モジュールの製造方法である。
Claim (excerpt)：
複数の半導体チップを基板上に搭載した後、金属化合物ガスの雰囲気中で前記半導体チップの主面上にレーザビームを照射して前記金属化合物を分解し、前記レーザビームの照射箇所に金属層を析出させることによって、前記半導体チップ間を電気的に接続することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 23/538
, H01L 21/3205
H01L 23/52 A
, H01L 21/88 B
