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J-GLOBAL ID：200903007833251210

半導体装置の製造方法及びその製造装置

Inventor： 筒 博司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松村 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101443
Publication number (International publication number)：1997289321
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 液晶表示素子,センサーアレイ,RAM等に用いられる半導体装置を低コストで、かつ、性能と信頼性の高いものを得るとともにその製造装置を提供する。【解決手段】 真空中でホログラフィーを用いたレーザーアニールにより非晶質薄膜を多結晶化した後、真空を破らずに連続的にゲート絶縁層,ゲート金属の堆積を行う。あるいは、非晶質薄膜の堆積及びパターニングも真空中で行う。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上もしくは絶縁層を介した半導体基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体薄膜にホログラフィーを用いてレーザービームを照射して前記非単結晶半導体薄膜を選択的に結晶化もしくは再結晶化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 29/78 627 G ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 627 B