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J-GLOBAL ID：200903007840780775

高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器

Inventor： 岩瀬 暢男 ,  斎藤 和敬 ,  五代儀 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994282432
Publication number (International publication number)：1995170041
Application date： Nov. 15, 1984
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】AlN基体上に剥離を生ずることなくガラス層を形成する。【構成】窒化アルミニウムセラミック基体と、この基体上に形成されたAl2 O3 層と、このAl2 O3 層上に形成されたガラス層とを具備する高熱伝導性回路基板。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムセラミック基体と、この基体上に形成されたAl2 O3 層と、このAl2 O3 層上に形成されたガラス層とを具備することを特徴とする高熱伝導性回路基板。

IPC (2)：

H05K 1/03 ,  C04B 41/89