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J-GLOBAL ID：200903007841204948
化合物単結晶の製造方法及び製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994256964
Publication number (International publication number)：1996119784
Application date： Oct. 21, 1994
Publication date： May. 14, 1996
Summary：
【要約】【目的】 双晶欠陥のない高品質の化合物単結晶を製造することができる、VGF法やVB法による化合物単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 高圧容器1内に集合ヒータ15を設け、該集合ヒータ内に化合物原料を収容するルツボ38を配置し、前記集合ヒータ15により上方から下方に渡り高温から低温に推移する温度分布を形成し、高圧ガス雰囲気下で前記温度分布の結晶成長温度域をルツボ38の下方から上方へ相対移動させることによりルツボ38内の原料融液52を下方から冷却固化して単結晶を成長させる。この際、前記ルツボ38内の化合物原料を溶融した後、原料融液を種結晶51とを接触させることなく徐冷して過冷却状態とし、該過冷却状態の原料融液52の下端部に種結晶51を接触させ、結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
高圧容器内にヒータエレメントが上下方向に複数段列設された集合ヒータを設け、該集合ヒータ内に化合物原料を収容するルツボを配置し、前記ヒータエレメントにより上方から下方に渡り高温から低温に推移する温度分布を形成し、高圧ガス雰囲気下で前記温度分布の結晶成長温度域をルツボの下方から上方へ相対移動させることによりルツボ内の原料融液を下方から冷却固化して単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、前記ルツボ内の化合物原料を溶融した後、原料融液を種結晶と接触させることなく徐冷して過冷却状態とし、該過冷却状態の原料融液の下端部に種結晶を接触させ、結晶成長温度域をルツボの下方から上方へ相対移動させる化合物単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 11/00
, C30B 29/48
, H01L 21/208
