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J-GLOBAL ID：200903007850214603
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279633
Publication number (International publication number)：1993121572
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、層間絶縁膜の形成方法に関し、耐クラック性が高くて厚膜化が可能であり、平坦性能力が高く、膜密度の高い絶縁膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に、式【化1】但し、Xは1〜3であり、Yは0または1であり、nは20〜25,000である。で示されるポリマーを塗布し焼成して層間絶縁膜を形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
基板上に、式【化1】但し、Xは1〜3であり、Yは0または1であり、nは20〜25,000である。で示されるポリマーを塗布し焼成して層間絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
