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J-GLOBAL ID：200903007853824275

酸化膜のための結晶成長リフトオフ方法およびその結果の構造

Inventor： エディ、マイケル・エム
Applicant, Patent owner： スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995516927
Publication number (International publication number)：1997506586
Application date： Dec. 12, 1994
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】酸化膜を成長基板から分離するために、層状の酸化銅緩和材料を用いる方法。以下の工程を含む、自立した酸化膜の形成方法。:LaAlO3のような成長基板(10)の上に、高温超電導体YBCOのような酸化銅緩和材料(12)を形成する第1の工程と、上記酸化銅緩和材料の上に、酸化膜(14)を形成する第2の工程と、好ましくは、上記酸化膜(14)を上記基板(10)から分離するために、上記酸化銅緩和材料(12)をエッチングする第3の工程。上記酸化膜(14)は、強誘電体、または光材料、またはSrTiO3またはCeO2のような更なる高温超電導体の成長に整合した材料でも良い。

Claim (excerpt)：

(1) 成長基板上に層状の酸化銅緩和材料を形成する工程と、 (2) 上記緩和材料上に酸化膜を形成する工程と、 (3) 上記酸化膜を上記成長基板から分離するために、上記緩和材料をエッチングする工程と、を含む、酸化膜の形成方法。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  B32B 9/00

FI (2)：

C04B 35/46 E ,  B32B 9/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭52-077897
  
• 特開昭52-090496
  
• 特開平3-126697
  
• 特開昭52-077897
  
• 特開昭52-090496
  
• 特開平3-126697