Pat
J-GLOBAL ID:200903007855386283
FPCの導体回路形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993279904
Publication number (International publication number):1995135385
Application date: Nov. 09, 1993
Publication date: May. 23, 1995
Summary:
【要約】【目的】 FPCの導体回路を、耐マイグレーション化およびファインライン化の向上が図られるように形成する。【構成】 ポリイミド等からなる基板11の表面にエキシマレーザ加工によって形成すべき導体回路12のパターンに応じた溝加工を施し、次いで、この溝加工部13を含む基板11の全表面にめっき処理によって導体層15を付与し、この後、導体層15に対してエッチング処理をすることにより溝加工部13を除く導体層15を除去し、溝加工部13のみに残る導体層15を導体回路12のパターンとして得る。
Claim (excerpt):
屈曲可能な絶縁性を有する基板(11)の表面に、レーザ加工によって形成すべき導体回路(12)のパターンに応じた溝加工を施し、次いで、この溝加工部(13)を含む基板(11)の全表面にめっき処理によって導体層(15)を付与し、この後、導体層(15)に対してエッチング処理をすることにより溝加工部(13)を除く導体層(15)を除去し、溝加工部(13)のみに残る導体層(15)を導体回路(12)のパターンとして得ることを特徴とするFPCの導体回路形成方法。
IPC (3):
H05K 3/06
, H05K 3/00
, H05K 3/10
Return to Previous Page