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J-GLOBAL ID:200903007866034427
微細トレンチの埋め込み方法、微細電極の製造方法、微細ホールの埋め込み方法、及び微細金属配線の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995058477
Publication number (International publication number):1996255764
Application date: Mar. 17, 1995
Publication date: Oct. 01, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高アスペクト比の微細トレンチや微細ホールをバリアメタルで埋め込む。【構成】 半導体基板上に順次形成された絶縁膜2、3及び4に、絶縁膜2、3及び4を貫通するトレンチ或いはホールを形成し、トレンチ或いはホールの内部の絶縁膜3を選択的にサイドエッチングする。これにより、トレンチ或いはホールの上部に存在する絶縁膜4は、コリメータの役割をし、トレンチ或いはホール内に入射する金属スパッタ粒子の指向性を高め、金属膜5のトレンチ或いはホールへの段差被覆性を向上させる。したがって、微細ゲート開口部やコンタクトホールへの良好なバリアメタルの埋め込みが可能となる。この後、絶縁膜3は除去される。
Claim (excerpt):
半導体基板上に第1の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積する工程と、前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1、前記第2、及び前記第3の絶縁膜を貫通するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内部の前記第2の絶縁膜を選択的にサイドエッチングする工程と、前記トレンチの内部に金属膜を堆積する工程と、第3の絶縁膜を除去する工程とを、含むことを特徴とする微細トレンチの埋め込み方法。
IPC (6):
H01L 21/28
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
FI (6):
H01L 21/28 L
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/285 S
, H01L 21/302 F
, H01L 21/88 B
, H01L 21/90 D
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