Pat
J-GLOBAL ID:200903007869217689
ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005182180
Publication number (International publication number):2006013503
Application date: Jun. 22, 2005
Publication date: Jan. 12, 2006
Summary:
【課題】一般に、半導体デバイスの製造に使用される被膜、特に窒化被膜および酸化被膜を提供すること。【解決手段】窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも1つの非シリコン前駆体(ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など)を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号(目印)をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。【選択図】図4
Claim (excerpt):
ドープ窒化シリコン膜、ドープ酸化シリコン膜、ドープ酸窒化シリコン膜、またはドープ炭化シリコン膜を形成する方法であって、少なくとも、
少なくとも1種のシリコン前駆体を準備するステップと、
窒素前駆体(前記シリコン前駆体と同じまたは異なってもよい)または酸素前駆体の少なくとも一方を準備するステップと、
少なくとも1つの非シリコン前駆体(前記シリコン前駆体、前記窒素前駆体、または前記酸素前駆体、あるいはこれらの組合せと同じまたは異なってもよい)をさらに準備するステップと
を含み、ドープ窒化シリコン膜、ドープ酸化シリコン膜、ドープ酸窒化シリコン膜、またはドープ炭化シリコン膜を形成する(前記膜がドープ酸化物である場合は、前記非シリコン前駆体がホウ素ではなくかつリンでもないことを条件とする)方法。
IPC (5):
H01L 21/318
, H01L 21/283
, H01L 21/768
, H01L 29/78
, H01L 29/786
FI (5):
H01L21/318 B
, H01L21/283 B
, H01L21/90 P
, H01L29/78 301N
, H01L29/78 619A
F-Term (60):
4M104CC05
, 4M104EE09
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104GG08
, 4M104HH20
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ21
, 5F033QQ25
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR20
, 5F033SS02
, 5F033SS03
, 5F033SS12
, 5F033SS13
, 5F033SS15
, 5F033WW03
, 5F033WW05
, 5F033XX28
, 5F058BB10
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BC08
, 5F058BC10
, 5F058BC12
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BF31
, 5F058BJ10
, 5F110AA30
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE09
, 5F110EE32
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110NN01
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG08
, 5F140BH15
, 5F140CC04
, 5F140CC08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
米国特許第6429098号
-
米国特許第6117750号
-
米国特許第6258664号
Cited by examiner (15)
-
特開平4-165623
-
特開平4-165623
-
特開平4-165623
-
特開平1-286319
-
特開平2-233531
-
特開平2-233531
-
特開平3-034426
-
特開平3-034426
-
特開昭52-098473
-
特開昭52-098473
-
特開昭52-098473
-
特開平4-165623
-
特開平2-233531
-
特開平3-034426
-
特開昭52-098473
Show all
Return to Previous Page