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J-GLOBAL ID：200903007871679070

拡散障壁体を備えた高温度工程に耐えることができる熱的に安定な接触体の製造法

Inventor： ジオン - ピン ルー ,  チー - チェン チョー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242061
Publication number (International publication number)：1999135455
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスに対し拡散障壁体を備えた熱的に安定な接触体の製造法を提供する。【解決手段】 接触体のための熱的に安定な拡散障壁体を得るために、パターンに作成された基板10の上にチタン層11が作成される。このチタン層11の上に窒化タングステン層12が作成される。焼鈍し段階の後、基板10とタングステン層13′との間に、界面層11′および窒化チタン層12′が作成される。これらの層により、基板の上に直接に取り付けられた窒化チタン層よりも熱的にさらに安定であり、そして後で行われる高温段階に耐えることができる接触構造体の形成が可能となる、拡散障壁体が得られる。

Claim (excerpt)：

パターンに作成された基板の上にチタンの層を作成する段階と、前記チタン層の上に窒化タングステンの層を作成する段階と、前記層を前記基板と一緒に焼鈍しを行う段階と、を有する、接触構造体のための拡散障壁層を作成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 T