Pat

J-GLOBAL ID：200903007899619218

絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法

Inventor： ジュアン・ブックソ ,  ディアン・ダウ ,  ビド・イルダーム ,  ズイ・ズォウ ,  トーマス・イー・ザークル
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996163921
Publication number (International publication number)：1996330590
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 低い制御されたしきい値電圧、パンチスルー耐性、および良好なスイッチング特性を備えたIGFET構造を伝統的な技術で形成可能にする。【解決手段】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)構造10は不純物ウエル13に形成されたソース領域14およびドレイン領域16を有する。チャネル領域18はソース領域14をドレイン領域16から分離する。1つの実施形態では、ユニラテラル延長領域17がソース領域14のみに隣接して形成されかつチャネル領域18内に延在する。ユニラテラル延長領域17はパンチスルー耐性を提供するためある深さ23およびある横方向距離24にピークドーパント濃度を有する。IGFET構造10は低い(すなわち、0.2〜0.3ボルト)から中間の(0.5〜0.6ボルト)しきい値電圧の短チャネル長の用途に適している。

Claim (excerpt)：

パンチスルー耐性のためにソース側にのみユニラテラルドープ領域を有するIGFET装置であって、主面(12)を有する半導体基板(11)、前記主面(12)から前記半導体基板(11)内に延在する第1の導電型の不純物ウエル(13)、前記不純物ウエル(13)内に形成された第2の導電型のソース領域(14)、前記不純物ウエル(13)内に形成されかつ前記ソース領域(14)からある距離だけ離間しチャネル領域(18)を提供する第2の導電型を有するドレイン領域(16)、前記チャネル領域の上の前記主面上に形成されたゲート誘電体層(21)、前記ゲート誘電体層(21)の上に形成され前記ソース領域(14)に隣接する第1のエッジを有するゲート層(19)、そして前記ソース領域(14)と隣接しかつ前記チャネル領域(18)内に延在する第1の導電型のユニラテラルドープ領域(17)であって、該ユニラテラルドープ領域(17)は前記主面(12)から第1の深さ(23)においてかつ前記第1のエッジから第1の横方向距離(24)においてピークドーパント濃度を有し、前記ユニラテラルドープ領域(17)はパンチスルー耐性を提供するもの、を具備することを特徴とするパンチスルー耐性のためにソース側にのみユニラテラルドープ領域を有するIGFET装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 29/78 301 P