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J-GLOBAL ID：200903007911525062

ショットキーバリア半導体装置

Inventor： 山本 悌二
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994278433
Publication number (International publication number)：1996116072
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小さい逆方向リーク電流を維持し、順方向立ち上がり電圧を低くしたショットキーバリアダイオードを提供する。【構成】 半導体基板2上面に、断面略台形状をした突起部4を多数縞状に設ける。突起部4の平坦な頂面5には、バリアハイトの低い第1のショットキー金属膜8を形成する。第1のショットキー金属膜8の上から半導体基板2の上面全体にバリアハイトの高い第2のショットキー金属膜9を形成し、ショットキー電極10を形成する。【効果】 順方向印加電圧により第1のショットキー金属膜による空乏層が消失し、第1のショットキー金属膜からオーミック電極へ流れる電流通路が確保される。また、逆方向印加電圧により第2のショットキー金属膜による空乏層がショットキー電極の全体へ広がり、電流通路が遮断され逆方向の耐圧が大きくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に突起部を形成し、少なくとも前記突起部の頂面にショットキー障壁の低い第1のショットキー金属領域を設けると共に前記第1のショットキー金属領域の両側若しくは周囲にショットキー障壁の高い第2のショットキー金属領域を設けて、半導体基板表面にショットキー電極を形成したことを特徴とするショットキーバリア半導体装置。