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J-GLOBAL ID：200903007912765300

高密度プラズマリアクタのためのガス供給装置

Inventor： ジョン モーン ,  メイ チャン ,  レイモンド ハン ,  ケネス エス. コリンズ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996312196
Publication number (International publication number)：1997180897
Application date： Nov. 22, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 チャンバ壁にクオーツやセラミック等の消費材料を排除し又は減らして、チャンバ壁近くのプラズマイオンの枯渇を防止し、且つ、高価なリアクタ部材がエッチングにより消費されることを防止する。【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバを画するリアクタエンクロージャと、半導体天井部と、処理中にワークピースを支持するチャンバ内部のベースと、チャンバ内にプラズマ前駆体ガスを通行させるためのガス流入システムと、チャンバ内にプラズマソースを結合させるための装置とを有するプラズマリアクタに具体化されるものである。ガス流入システムは、平坦な基板の上の半導体天井部を貫くガス流入ポート1組を有している。これらガス流入ポートは、ウエハ中心の上に集中していてもよく、及び/又は、ウエハ外縁の上にも配置されていてもよい。

Claim (excerpt)：

ワークピースを処理するためのプラズマリアクタであって、プロセスチャンバを画するリアクタエンクロージャと、前記チャンバ内にあり処理中に前記ワークピースを支持するための、ベースと、前記リアクタエンクロージャに備えられた、前記ベースの上にある半導体天井部と、前記プロセスチャンバにプラズマソース電力を結合させるための装置と、を備えるプラズマリアクタ。

IPC (4)：

H05H 1/42 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/42 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/302 B