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J-GLOBAL ID：200903007920330398

タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 山下 信樹 ,  森田 章二 ,  近藤 勝彦
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002007651
Publication number (International publication number)：2003188401
Application date： Jan. 16, 2002
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】ユニット界面接合部に不良部が発生するのを回避し、かつ所定の感度を有する各波長域を各ユニットに閉じ込められ、高い光電変換特性を有し安定性にも優れることを課題とする。【解決手段】基板21上に2段に積層された複数の光電変換ユニットを23,25タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置であり、前記各光電変換ユニット23,25は、夫々、順次積層された第1導電型の半導体層26,31、シリコン系薄膜の光電変換層27,32及び第2導電型の半導体層28,33とを有し、かつ前記各光電変換ユニット23,25間に酸化インジウム・酸化錫複合酸化物層もしくは酸化錫層と酸化亜鉛層の2層を中間層24として介在させたことを特徴とするタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。

Claim (excerpt)：

基板上に順次積層された第1・第2の光電変換ユニットを有するタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置であり、前記各光電変換ユニットは、夫々、順次積層された第1導電型の半導体層、シリコン系薄膜の光電変換層及び第2導電型の半導体層とを有し、かつ前記各光電変換ユニット間に中間層を介在させたことを特徴とするタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

F-Term (10)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA12 ,  5F051FA18