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J-GLOBAL ID：200903007920915302

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 松木 宏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998262133
Publication number (International publication number)：2000091338
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を低コストで提供する。【解決手段】素子及び配線102を形成した半導体基板101上に、プラズマCVD法によって形成された窒化シリコン膜あるいは酸化窒化シリコン膜103、シリコン原子を含有するガスと過酸化水素を有する混合ガスを用いて形成し平坦化された酸化シリコン膜104と、およびプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン膜105とを具備する。

Claim (excerpt)：

金属膜による配線層上に、プラズマCVD法による窒化シリコン膜と、シリコン原子を含有するガスと過酸化水素を有する混合ガスを用いて形成され平坦な形状をもつ酸化シリコン膜と、プラズマCVD法による窒化シリコン膜とを積層した構造を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/318 C ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 Z ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 M

F-Term (43)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX18 ,  5F058BA05 ,  5F058BA07 ,  5F058BA09 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03