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J-GLOBAL ID：200903007931903934

基板処理方法および基板処理装置

Inventor： 野口 稔 ,  大坪 徹 ,  相内 進
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995292898
Publication number (International publication number)：1996236509
Application date： Nov. 09, 1983
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】半導体装置製造時の食刻、成膜、ベーキング処理において、処理中の基板温度を効果的に制御できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】所定の圧力に排気された処理室12内でプラズマを発生させて基板19を処理する際に、表面を絶縁膜で被覆して温度制御された支持台17の表面に前記基板19を機械的に接触させることにより、前記支持台17で前記基板19を支持させ、前記絶縁膜表面と前記基板19との間に熱伝達用のガスを介在させ、前記支持台17と前記基板19との間の熱伝達を行わせながら、前記処理室12内にプラズマを発生させて該プラズマにより前記基板の処理を行う。

Claim (excerpt)：

所定の圧力に排気された処理室内で基板を処理する基板処理方法であって、表面を絶縁膜で被覆して温度制御された支持台に設けた複数の電極に電圧を印加して前記絶縁膜の表面に静電気力を発生させる工程と、該発生させた静電気力で前記絶縁膜表面に前記基板をほぼ全面に亘って機械的に接触させることにより前記支持台で前記基板を支持する工程と、前記絶縁膜表面と前記基板との間に熱伝達用のガスを介在させる工程と、前記基板を処理する工程とを有し、該基板を処理する工程において前記静電気力で前記絶縁膜表面にほぼ全面に亘って機械的に接触させた前記基板と前記絶縁膜表面との間に介在させた前記熱伝達用のガスにより前記支持台と前記基板との間の熱伝達を行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/50 ,  G05D 23/19 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 C ,  C23C 14/50 A ,  G05D 23/19 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-032410
  
• 特公昭57-044747
  
• 特開昭56-163272